| ଆଇଟମ୍ | | ସାଧାରଣ ମୂଲ୍ୟ | ୟୁନିଟ୍ |
| ଆକାର | | 2.3 | ଇଞ୍ଚ |
| ସଂକଳ୍ପ | 320RGB * 240dots | | - |
| ବାହ୍ୟ ଆକାର | 51.00 (W) * 45.80 (H) * 2.3 (T) | mm |
| କ୍ଷେତ୍ର ଦେଖିବା | | 46.75 (W) * 35.06 (H) | mm |
| ଟାଇପ୍ କରନ୍ତୁ | | TFT | |
| ଦିଗ ଦେଖିବା | | 12 O 'ଘଣ୍ଟା | | |
| ସଂଯୋଗ ପ୍ରକାର: | COG + FPC | |
| ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା: | -20 ℃ -70 ℃ | |
| ସଂରକ୍ଷଣ ତାପମାତ୍ରା: | -30 ℃ -80 ℃ | |
| ଡ୍ରାଇଭର ଆଇସି: | ILI9342C | |
| ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ପ୍ରକାର: | MCU & SPI | |
| ଉଜ୍ଜ୍ୱଳତା: | 200 CD / ㎡ | |
ତେଣୁ, ତରଳ ସ୍ଫଟିକ୍ ପଦାର୍ଥର ପର୍ଯ୍ୟାୟ ପରିବର୍ତ୍ତନ ତାପମାତ୍ରା ତରଳ ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ରଦର୍ଶନ ଉପକରଣର କାର୍ଯ୍ୟ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ |ଟେବୁଲ୍ 1 ମଧ୍ୟରେ ଥିବା ସମ୍ପର୍କକୁ ଦର୍ଶାଏ |
ପ୍ରଯୁଜ୍ୟ ତରଳ ସ୍ଫଟିକ୍ ସାମଗ୍ରୀ ପାରାମିଟର ଏବଂ ଏହା ସହିତ ଜଡିତ ତରଳ ସ୍ଫଟିକ୍ ପ୍ରଦର୍ଶନ ଉପକରଣର ଗୁଣ |ତରଳ ସ୍ଫଟିକ ପଦାର୍ଥ ପାରାମିଟରଗୁଡିକ ମୁଖ୍ୟତ clear ସ୍ୱଚ୍ଛ |
ପଏଣ୍ଟ୍ ଟିପି (ତରଳ ସ୍ଫଟିକ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟରୁ ଆଇସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟକୁ ତାପମାତ୍ରା ପରିବର୍ତ୍ତନ ପଏଣ୍ଟ), ଆରୋଗ୍ୟ ବିନ୍ଦୁ Ts.N (ନେମାଟିକ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟରୁ ସ୍ମେକ୍ଟିକ୍ ପର୍ଯ୍ୟାୟ କିମ୍ବା କଠିନ ଚରଣରେ ରୂପାନ୍ତର) |
ତାପମାତ୍ରା ବିନ୍ଦୁ), ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଆନିସୋଟ୍ରୋପିକ୍ ବ୍ରେଫ୍ରିଙ୍ଗେନ୍ସ ଅନ୍, ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଆନିସୋଟ୍ରପି Oε, ଇଲେଷ୍ଟିକ୍ ସ୍ଥିର Kn (ସ୍ପ୍ଲେଡ୍ ଇଲେଷ୍ଟିକ୍ ସ୍ଥିର),
K22 (ଟର୍ସିଆଲ୍ ଇଲାଷ୍ଟିକ୍ ସ୍ଥିର), K33 (ଫ୍ଲେକ୍ସଚରାଲ୍ ଇଲାଷ୍ଟିକ୍ ସ୍ଥିର), ଘୂର୍ଣ୍ଣନ ସାନ୍ଦ୍ରତା y, ଇତ୍ୟାଦି |
| ପାରାମିଟର | ପ୍ରତୀକ | ସାଧାରଣ ମୂଲ୍ୟ | ମନ୍ତବ୍ୟଗୁଡିକ |
| କ୍ଲିଅର୍ ପଏଣ୍ଟ | | Tclp | 80°C. | ସର୍ବାଧିକକାର୍ଯ୍ୟ ତାପମାତ୍ରା |
| ସ୍ମେକ୍ଟିକ୍-ନେମାଟିକ୍ ltransition | | Ts-N | - 40°C. | ମିନିଟ୍କାର୍ଯ୍ୟ ତାପମାତ୍ରା |
| ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଆନିସୋଟ୍ରପି | | A n = n // - n L। | 0.085 = 1.562-1 .477 | ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଆଚରଣ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ | |
| ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଆନିସୋଟ୍ରପି | | 0 ε=ε// _ε⊥ | 7 = 10.5-3.5 | ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ କ୍ଷେତ୍ରରେ ଆଚରଣ ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ | |
| ଇଲଷ୍ଟିକ୍ ସ୍ଥିର | | K11，K22, କେ33. | 10-11ନ୍ୟୁଟନ୍ | | ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସମୟ ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ | |
| ଘୂର୍ଣ୍ଣନ ସାନ୍ଦ୍ରତା @ 20 |°C | Y 1 | 100 mPa s | ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସମୟ ପାଇଁ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ | |
